В заключение, стоит отметить следующее. Не секрет, что сейчас модный ярлычок «нано-» приклеивается сейчас повсеместно, но само по себе наличие структуры с характерным размером 1-100 нм и менее еще не является нанотехнологией в подлинном смысле, поскольку отражает лишь количественную, а не качественную сторону явлений. Так 45-нм технология освоенная микроэлектроникой является лишь очередным шагом на пути масштабирования, физические же принципы, лежащие в основе их действия, остаются неизменными. В то же время, эффект ГМС – это возникновение принципиально нового свойства у системы, структурированной на наномасштабе: толщины проводящих слоев должны быть меньше длины свободного пробега электрона (CIP геометрия) или длины релаксации спина (CPP геометрия), которые составляют единицы нанометров. В этом контексте становится ясной формулировка Шведской Академии Наук, присудивших Нобелевскую премию «за открытие эффекта гигантского магнитосопротивления» технологии, которая «может рассматриваться как первое по-настоящему эффективное приложение многообещающей области нанотехнологий».
Список литературы
1.C. Chappert, A. Fert, F. Van Dau, NatureMaterials, v. 6, p. 813 (2007)
3.G. Binach, P. Grunberg, G. Creuzetetal. Phys. Rev. B, 39 (1989) 4828.
4.Кринчик Г.С. Физика магнитных явлений. М.: МГУ, 1976 г. - 367 с.
5.R.R. Katti. Proc. IEEE, 91 (2003) 687.
6.T. Valet and A. Fert. Phys. Rev. B, 48 (1993) 7099.
7.S.S.P. Parkin et al., et al. Nature Materials, 3 (2004) 862; S. Yuasa, et al. ibid., 3 (2004) 868; Y.M. Lee et al., Appl. Phys. Lett. 90, 212507 (2007).
8.
9. S. A. Wolf, D. D. Awschalom, R. A. Buhrman, et al. Science, 294, (2001) 1488.
[1] Анизотропное магнитосопротивление - эффект, обнаруженный Уильямом Томсоном в 1857 году, состоящий в том, что сопротивление ферромагнитной системы, измеренное при токе, текущем вдоль намагниченности структуры, отличается от сопротивления, измеренного при токе, текущем перпендикулярно намагниченности. Механизм эффекта обусловлен спин-орбитальным взаимодействием, проявляющимся в виде различного рассеяния носителей тока на дефектах и колебаниях решетки в зависимости от спина носителей. Характерная величина эффекта составляет 1-2 %.
