RUS ENG

НАМ 25 ЛЕТ!


 

 

Уплотнить магнитную память в тысячу раз?



13.07.2009

Уплотнить магнитную память в тысячу раз? "Co dimers on hexagonal carbon rings proposed as subnanometer magnetic storage bits", Ruijuan Xiao et al. (http://arxiv.org/abs/0906.4645v1)
Немецкие ученые из Института Лейбница твердого тела в Дрездене предлагают новый способ, который позволит увеличить емкость магнитной памяти, уменьшить размеры и продлить ее работу. Для этого они предлагают использовать материалы с высоким значением энергии магнитной анизотропии (MAE), которая является одной из наиболее важных свойств магнита. Значение MAE определяет расположение атомных спинов, то есть, и все основные магнитные характеристики материала. Чем больше значение MAE, тем более стабилен магнит.
Жуйцзюань Сяо (Ruijuan Xiao) с коллегами показали, что в системах из переходных металлов и углерода плотность магнитной записи может превышать на три порядка емкость современных жестких дисков. С помощью сложных вычислений они показали, что хорошие результаты получаются у систем из кобальтовых димеров (две простые связанные молекулы кобальта), соединенных с бензолом диаметром 0.5 нанометра. (Такая система обладает величиной MAE около 0.1 эВ на молекулу, этого достаточно, чтобы надолго сохранить один бит информации при температуре значительно больше, чем 4 K.) Похожие результаты получаются, если димеры кобальта осадить на графене или на графите. При этом размеры магнитных зерен кобальта, которые поддерживают плотно упакованную гексагональную структуру,  можно уменьшить - от 50 тысяч атомов до 15 тысяч атомов. Такие субнанометровые биты информации можно записывать, одновременно используя небольшое магнитное и сильное электрическое поле.
Уменьшение кобальтовых зерен (до 0.5 нанометров) по сравнению с современными (8 нанометров) позволит увеличить плотность записи и уменьшить размеры магнитной памяти.
Пока работу немецких исследователей можно увидеть только на бумаге. Создание прототипов новой памяти откроет невероятные возможности для современных компьютеров.  
http://www.physorg.com/news166180590.html
http://www.technologyreview.com/blog/arxiv/23773/

Возврат к списку новостей