RUS ENG

НАМ 20 ЛЕТ!

ГРУППА AMT&C - ФИНАЛИСТ РЕЙТИНГА «ТЕХНОУСПЕХ»


 

 


Магнитные материалы с эффектом памяти



10.05.2010

Магнитные материалы с эффектом памяти На рис: Кристаллическая структура и фазовая диаграмма Ni-Mn-Sn.
Магнитные материалы с эффектом памяти могут служить легковесной компактной альтернативной обычным моторам и приводам. Но для разработки новых приборов потребуются материалы, которые будут изменять форму значительно сильнее, чем большинство известных материалов с эффектом памяти. В статье в Physical Review Letters (http://physics.aps.org/pdf/10.1103/PhysRevLett.104.176401.pdf), японские физики рассказывают об исследовании изменений в магнитных материалах с эффектом памяти на молекулярном уровне.
Ученые исследовали сплав из никеля, марганца и олова. В идеальном виде это кристалл, где каждый элемент занимает определенное место в кристаллической решетке относительно других элементов. В некоторых вариантах атомы марганца заменяют несколько атомов олова. При таких небольших вариациях состава может значительно изменяться поведение сплава.
Мы выявили механизм перехода мартенситной фазы у нового класса ферромагнитных сплавов с эффектом памяти (Ni2Mn1+xSn1-x), используя рентгеновскую спектроскопию и вычисления на основе функционалов плотности, объясняют авторы. (от ред.: мартенситный переход - это один из видов структурного превращения, при котором изменение взаимного расположения атомов (молекул) в кристалле происходит в результате относительных смещений соседних атомов на расстояния, малые по сравнению с межатомным расстоянием).
Изучая, как изменение состава меняет свойства материала с эффектом памяти и, сравнивая измерения с теоретическими выкладками, можно понять, что заставляет материал работать. Такие исследования помогут физикам разработать новые и усовершенствовать известные материалы с эффектом памяти.
Role of Electronic Structure in the Martensitic Phase Transition of Ni2Mn1+xSn1-x Studied by Hard-X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Ab Initio Calculation, M. Ye et al. Phys. Rev. Lett. 104, 176401 (2010) - April 26, 2010.
http://www.physorg.com/news191502654.html

Возврат к списку новостей